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长沙集电环自主研发生产质量保证

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    (1)碳刷反应温度反应温度是影响CVD过程主要的工艺条件之一 。一般而言,同一反应体系随着温度的升高,气相沉积速率加快,相应的薄膜生长速率也随之加快,但是在达到一定温度后,薄膜的生长速率则趋于稳定 。需要注意的是,不同温度条件下的同一反应体系,依据反应条件及基底材料的温度、后处理条件(如退火条件)等所制得薄膜的结构缺陷、纯度及其表现出来的各种物理性质均有一定的差 。
    (2)碳刷反应室压 力CVD沉积薄膜一般采用封管法、开管法两种方法制备 。封管法是把一定量的反应物和适当的基底分别放在反应器的两端,管内抽真空后充入一定量的反应气体,然后密封,再将反应器置于双温区内,使反应管内形成温度梯度 。系统内的总压对封管系统往往起到重要作用,它直接影响到管内气体的输送速度,从而影响到沉积膜的质量 。在真空条件下,沉积膜的均匀性和附着性往往会得到改善 。开管法是将气源气体向反应器内吹送,保持在一个大气压的条件下沉积成膜,特点是反应气体混合物能够连续补充,同时废弃的反应产物不断排出沉积室 。
    (3)碳刷反应时间反应时间的长短直接影响到沉积膜的质量、厚度及沉积膜颗粒的大小 。在化学气相沉积生长硅纳米线的实验中,发现时间的长短与制备得到的硅纳米线的长度、直径及厚度有一定关系,时间越长,硅纳米线的长度越长,直径与厚度越大 。

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